igbt飽和壓降是在門極電壓驅動下 ， IGBT工作于飽和區（什么是飽和區請查閱相關資料），IGBT集電極（C）與發射極（E）之間的電壓差；不同的門極電壓對應不同的飽和壓降 。
【igbt飽和壓降是什么】飽和壓降是衡量IGBT是否過流的重要指標，在門極驅動電壓存在的情況下，發生IGBT過流，Vce會急劇上升，一般當Vce大于飽和壓降10微秒(us)左右，IGBT就會損壞 。
一般的IGBT驅動保護模塊就是通過監控Vce是否大于飽和壓降，來實現IGBT過流保護的 。
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